三星探索内存新技术：垂直堆叠于AI加速器之上，密度超传统HBM5十倍

摘要

PANews 8月5日消息，据金十报道，美东时间8月4日，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出其V10 Bonding V-NAND，即BV-NAND原型产品。该芯片拥有超过400层结构，并采用全新的晶圆键合架构...

PANews 8月5日消息，据金十报道，美东时间8月4日，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出其V10 Bonding V-NAND，即BV-NAND原型产品。该芯片拥有超过400层结构，并采用全新的晶圆键合架构，以提高存储密度并增强性能。三星表示，其BV-NAND技术较上一代V9 NAND将存储密度提高约58%，同时提升读取、写入以及输入/输出性能，以满足人工智能系统对更高容量、更高能效存储解决方案日益增长的需求。

三星还展示了其称业界首款zHBM和zNAND-O架构概念模型。该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据。不同于传统HBM与AI处理器并列封装的方式，三星的zHBM会将存储垂直堆叠于AI加速器之上，以缩短数据传输距离，提高带宽，同时提升能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度，同时将能源效率提高3倍，并将热阻降低一半以上。