SK海力士否认收购英特尔俄亥俄园区，但赴美建厂战略已明确落地

SK海力士正式否认收购传闻

SK海力士已明确表示，目前并未推进、亦未决定收购英特尔位于美国俄亥俄州纽阿尔巴尼市的半导体园区及晶圆厂（Fab）。公司发布于韩国交易所澄清公告平台的官方声明强调：“没有推进或决定收购该地块及设施的事实。”该声明由公司财务负责人金宇铉签署，具有正式效力。

否认不等于止步，评估仍在持续

尽管否认当前存在收购行动，SK海力士在声明中同时指出：“公司持续评估各类投资与收购机会。”这一表述表明，其对美国本土产能布局的考量并未停止，只是现阶段尚无具体交易决策。所谓“谈判进入实质阶段”“内部审查与政府审批同步推进”等说法，均未获公司证实，亦无公开信息佐证。

俄亥俄园区现状：进度延后，窗口犹存

英特尔俄亥俄州园区自2022年破土动工，已完成主体结构施工，规划总面积约404万平方米，远期可容纳8座晶圆厂，总投资预计达1000亿美元。其中第一阶段计划建设Fab 27与Fab 28两座工厂，原定2025年完工，但因代工业务拓展不及预期及资金压力，投产时间已推迟至2030–2031年。这一延宕客观上为其他厂商介入提供了观察期与潜在协商空间，但截至目前，SK海力士未参与任何实质对接或协议磋商。

赴美建厂已是既定方向

即便收购传闻被否定，SK海力士在美国扩大半导体制造能力的战略路径已清晰浮现。集团会长崔泰源于7月15日在济州岛公开表态：“不仅要在韩国湖南建设工厂，也要在美国建设半导体工厂——目前正积极寻找合适地点，需尽快推进。”该发言首次将美国建厂从意向层面提升至选址实施阶段。

美方推动构成关键外部动因

美国政府持续释放明确信号。商务部长Howard Lutnick于7月10日出席美光纽约工厂活动时公开呼吁：“希望召唤三星电子和SK海力士来美国建设生产设施。”业界普遍认为，这一表态标志着美方政策重心正从封装测试等后道环节，延伸至DRAM等核心存储芯片的前道制造环节，意图强化本土供应链韧性。在此背景下，SK海力士印第安纳州HBM封装厂（投资38.7亿美元，2028年投产）并非终点，而是前道制造落地的前置准备。

全球布局正在重构

当前，韩国两大存储巨头正同步加速美国产能部署：三星在德克萨斯州泰勒市推进总值约370亿美元的先进制程代工与研发综合体；SK海力士则以HBM封装为支点，向存储芯片全流程本土化迈进。收购传闻虽被证伪，但其背后折射的产业逻辑真实存在——技术主权竞争加剧下，存储芯片制造的地理分布正经历系统性重置。