长鑫科技登陆科创板：自主创新驱动中国存储产业跃升
摘要
坚守自主创新，实现DRAM从0到1的突破 长鑫科技董事长朱一明在IPO网上路演中指出，公司自2019年成功研发并量产首颗自主设计的8Gb DDR4芯片起，正式打破中国大陆在DRAM领域长期空白的局面，完成“从0到1”的历史性跨越。...
坚守自主创新，实现DRAM从0到1的突破
长鑫科技董事长朱一明在IPO网上路演中指出，公司自2019年成功研发并量产首颗自主设计的8Gb DDR4芯片起，正式打破中国大陆在DRAM领域长期空白的局面，完成“从0到1”的历史性跨越。这一成果并非孤立的技术事件，而是建立在持续高强度研发投入与清晰技术路径选择之上的系统性突破。
跳代研发加速演进，四代工艺平台快速落地
不同于线性迭代的发展模式，长鑫科技采用跳代研发策略，高效整合资源、压缩周期，在较短时间内完成第一代至第四代工艺平台的量产转化。目前，公司已实现DDR5、LPDDR5及LPDDR5X等主流高性能内存产品的全覆盖，并完成多轮产品迭代升级，技术能力持续向国际一线水平靠拢。
登陆资本市场，开启责任新阶段
朱一明强调，科创板上市不是终点，而是承担更大产业使命的新起点。募集资金将重点投向技术研发深化与产业化能力建设，旨在提升对下游多元化需求的响应速度与供应保障能力。同时，长鑫科技将以龙头企业身份，主动协同设计、制造、封测及终端应用环节，推动国产存储产业链更紧密、更自主、更可持续地发展。
面向全球，锚定长期竞争力
未来，长鑫科技将继续坚持技术敬畏、创新投入与产业深耕三位一体的发展逻辑。公司不以短期规模扩张为唯一目标，而聚焦核心架构能力、先进制程适配能力及生态共建能力的持续锻造，致力于成长为具备全球技术话语权和市场影响力的半导体存储企业。其发展路径，始终与中国集成电路产业整体跃升同频共振。
评论 (5)
这自主创新太牛了，打破空白不容易，跳代研发也厉害，上市后肯定能推动产业更好发展。
自主创新实现0到1，跳代研发提升速度，上市开启新责任，能推动国产产业链发展。
打破DRAM空白是大突破，跳代研发节省时间，上市募资搞研发，看好它走向全球。
长鑫科技有清晰路径，跳代研发能快速落地，上市后好好搞技术，未来竞争力肯定强。
长鑫科技厉害，研发投入大，跳代研发高效，上市后肯定能提升国际竞争力。