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海力士登陆纳斯达克:HBM霸主的资本跃迁与长鑫科技的窗口机遇

摘要

AI时代的HBM霸主 在这轮AI超级周期中,SK海力士的地位已远超传统存储厂商——它正成为支撑大模型算力底座的关键硬件提供者。AI大模型训练与推理对内存带宽提出前所未有的要求,而高带宽内存(HBM)正是突破“内存墙”的...

海力士登陆纳斯达克:HBM霸主的资本跃迁与长鑫科技的窗口机遇

AI时代的HBM霸主

在这轮AI超级周期中,SK海力士的地位已远超传统存储厂商——它正成为支撑大模型算力底座的关键硬件提供者。AI大模型训练与推理对内存带宽提出前所未有的要求,而高带宽内存(HBM)正是突破“内存墙”的核心解法。海力士不仅是HBM技术的先行者,更是当前全球实际落地能力最强、量产节奏最快的企业。 根据IDC最新数据,2026年第一季度,海力士在HBM市场的营收份额达56.4%,稳居全球第一;DRAM与NAND市场份额均位列第二,分别占29.1%和18.5%。其技术护城河清晰可见:2024年率先量产HBM3E,2025年完成HBM4原型验证;独创的TSV硅通孔堆叠工艺与MR-MUF批量回流模压底部填充技术,大幅提升了良率与集成密度。 在制程层面,海力士持续领跑:DRAM已进入1c代(第六代10nm级),NAND正从238层向321层高密度结构演进。更关键的是商业模式——“双轮驱动”:一边以DDR5、企业级SSD等标准产品保障现金流稳定;一边以HBM、CMM(计算内存模块)等定制化高毛利产品攫取超额收益。这种结构使其在行业上行期具备极强的资本反哺能力,支撑其在韩国永仁建设超大规模晶圆集群,并同步推进清州及美国印第安纳州的先进封装布局,锚定未来5–10年的产能主动权。

周期性之争:不是结束,而是重构

存储行业素有强周期属性,但本轮由AI驱动的需求已实质性改变周期形态。AI服务器中存储价值占比升至40%,单台服务器DRAM配置容量较前代增长近四倍,价格持续攀升。更重要的是,云厂商与存储厂广泛签署长期供货协议(LTA),主动平抑过去“暴涨暴跌”的波动惯性。短期看,传统意义上的剧烈周期已基本让位于结构性增长。 但周期并未消失,只是延后。新增产能集中释放节点预计在2028–2029年,而资本市场通常提前12–18个月定价基本面变化——这意味着产能压力可能在2027年成为市场主线。当前估值收缩并非盈利转弱信号,反而可能预示周期高位的理性回归。当利润峰值出现时,周期股往往迎来估值中枢下移,这是历史规律,而非个案异常。

三大核心争议:市场在等待什么?

近期存储板块回调,本质是多空逻辑再校准的过程。当前市场聚焦三大关键问题: 第一,关于AI需求可持续性。有传言称头部云厂商出售富余算力,引发“AI泡沫破裂”担忧。但真实判断应落于财报:若二季度云厂商维持或上调资本开支指引,则说明底层需求仍在扩张;若下调,则需警惕阶段性过剩。与此同时,企业端Token使用策略正在优化——从“无差别消耗”转向“编排分层”,即简单任务用开源模型、复杂任务才调用旗舰模型。这将缓释短期压力,但亦带来下半年需求能见度下降的隐忧。 第二,关于长期供货协议(LTA)为何未提振估值。市场并非否定LTA本身,而是质疑其执行刚性。历史上曾出现LTA被 renegotiate 或库存强制交付的情况。因此,当前冷淡反应实为对“AI需求是否真正具备长期结构性”的审慎验证。只有当LTA持续兑现、且客户采购节奏稳定,估值重估才具备坚实基础。 第三,关于周期拐点的误读。“变化速率见顶”不等于“周期结束”。价格同比涨幅从一季度超100%收窄至三季度个位数,反映的是增速换挡,而非需求坍塌。机构仍普遍看好2027年行业盈利增长35%–40%,驱动力来自AI智能体规模化落地与数据中心架构升级。但短期博弈焦点明确:财报季前股价承压;板块偏好明显向DRAM倾斜;投资者仓位正从高位回撤,转向MLCC、半导体设备等滞涨细分领域。

长鑫IPO:一场错位共振的历史性窗口

就在海力士登陆纳斯达克五天后,中国本土DRAM龙头长鑫科技启动A股IPO打新。这不是简单的巧合,而是一场由全球产能再分配催生的战略级联动。 三星、海力士、美光将九成以上先进产能锁定于HBM赛道,导致通用DRAM——尤其是DDR4、DDR5、LPDDR5——出现系统性供给真空。长鑫科技作为全球唯一专注通用DRAM规模化量产的厂商,其盈利逻辑并非源于技术领先,而是受益于巨头的战略退出。这种“对手抽身、我方接棒”的格局,构成罕见的结构性套利窗口。 数据显示,部分DDR4型号在2025年单月涨价近50%,全年累计涨幅逼近800%;TrendForce预测,2026年普通DRAM单片盈利或将首次超越HBM3e。长鑫2025年毛利率同比跃升36个百分点,2026年Q1净利润已是2025年全年的5.7倍,营收三年复合增长率高达160.78%。公司原计划2026–2027年实现盈利,实际提前一年以上达成。 招股书明确披露技术路径:先夯实通用DRAM根基,再逐步切入HBM。295亿元募资中,130亿元投向DRAM制程升级,90亿元用于前瞻技术研发——这既是产能储备,更是技术伏笔。当然,前路仍有三重现实壁垒:外部制裁限制、良率爬坡瓶颈、以及先进封装能力短板。但不可否认,长鑫正站在国产存储从“能用”迈向“好用”的关键跃升点上。

结语:两条战线,同一逻辑

海力士赴美上市,不是周期尾声的套现,而是面向AI下一阶段的产能卡位;长鑫冲刺科创板,也不是单纯填补国产缺口,而是借势全球产能错配完成弯道超车。二者看似分处不同资本市场,实则共享同一底层逻辑:AI正重塑存储的价值链条——从成本中心变为算力支点,从周期商品变为战略资源。谁掌握带宽,谁就握有定义下一代计算的话语权。

评论 (8)

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一世繁华¢

长鑫这机会不错,巨头退出通用DRAM给它让路,就看能不能突破制裁和良率瓶颈了。

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10点睡觉……

海力士登陆纳斯达克,产能布局野心不小,长鑫得加快脚步了。

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tihfd
tihfd 3周前

海力士市占率这么高,技术也领先,不过这周期还真让人捉摸不透,得再观望下。

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fmomm
fmomm 3周前

存储行业变天,AI重塑格局,海力士和长鑫各有机会,就看谁能把握好。

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富贵的快乐生活。

AI对存储需求影响真大,海力士靠HBM赚翻,长鑫抓住通用DRAM机会也能分杯羹。

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