报道：三星电子第三季度DRAM价格将上调至多20%

三星电子正主导新一轮内存涨价攻势，AI基础设施投资持续升温为其提供底气。

周五，据ZDNet报道，韩国业界消息称，三星电子正就第三季度通用DRAM均价（ASP）与客户展开谈判，目标涨幅较上季度最高达20%。公司同时计划将服务器与移动端均面临瓶颈的低功耗DRAM（LPDDR）价格上调20%以上，显示其在价格谈判中的强硬姿态。

供给短缺局面仍在持续。全球科技巨头对AI基础设施的持续投入推高了服务器DRAM、高带宽内存（HBM）及LPDDR的整体需求，供给紧张态势短期内难以缓解。业界人士表示，尽管后续涨价幅度将有所收窄，三星电子等内存厂商有望将高盈利水平延续至明年。

三星电子今年以来的DRAM ASP涨幅远超同业。据业界数据，第一季度其DRAM ASP较上季度上涨约90%，第二季度涨幅约为50%至60%，第三季度目标涨幅约为20%。

相比之下，HBM生产占比较高的SK海力士涨价幅度预计低于三星。业界普遍认为，这一差异源于两家公司产品结构的不同——三星通用DRAM占总产量比重较高，价格弹性更大，且在推动涨价方面态度更为积极。

一位半导体业界人士表示："三星电子在第三季度的价格谈判中态度非常强硬，但客户是否能够全盘接受，目前尚无定论。"

即便阶段性涨价势头趋缓，DRAM价格中期走势仍有结构性支撑。业界人士指出，核心客户与内存厂商之间的长期供应协议（LTA）签约比例正在持续扩大，价格下行风险因此受到有效抑制。

美光上月末在业绩发布会上披露，公司已与客户签订共16份长期供应协议。据悉，上述协议不仅对购买量具有约束力，还设定了保障高利润水平的价格下限。这一动向反映出客户对中长期内存供给持续偏紧的预判。

市场此前曾有声音认为，Meta推进云服务商业化、向外部出售内部剩余算力，或意味着其AI产能已趋于饱和，可能对内存需求产生负面影响。

然而，Meta今年4月已将全年AI基础设施投资计划从此前的1150亿至1350亿美元上调至1250亿至1450亿美元，持续扩大资本支出的方向未变。

另一位业界人士表示："更准确的理解是，Meta此举是为了更高效地利用内部算力资源，而非释放产能过剩信号。价格下限LTA扩大、HBM价格重新谈判等因素叠加，明年DRAM市场大幅下行的可能性很低。"