重启信号明确：大连二期扩建进入实施阶段 SK海力士已正式启动此前搁置的大连工厂二期扩建项目，计划于2026年下半年全面重启建设，并部署新一代V8（238层）NAND闪存产线。该项目不再停留于规划或审批层面，而是进入实质性设备安装阶段——预计2024年下半年起陆续运抵并安装核心生产设备，整体设施建设将分阶段推进，目标在2027年上半年完成投产准备。 产能规划清晰：聚焦V8技术与区域协同 大连二期将新建一条完整V8 NAND产线，设计月产能为3万至5万片晶圆。与此同时，大连一期工厂正同步开展产线升级，全面转向192层NAND制程，并替换服役超期的老旧设备，以提升良率与运营效率。两期产线形成技术梯度：一期承载成熟制程量产，二期聚焦高密度V8产品，共同构成SK海力士在中国大陆最具响应速度的NAND制造基地。 政策环境转变：年度审批机制缓解设备供应不确定性 此前导致项目停滞的关键外部约束已发生实质性变化。美国对华半导体设备出口管制机制由原先高度不确定的“经验证最终用户”（VEU）名单制，调整为更可预期的年度审批流程。该调整显著降低了设备进口的时间风险与合规成本，使SK海力士得以重新评估并落实大连二期的资本支出节奏。这一制度性松动，成为项目重启最直接的政策前提。 市场动能强劲：价格与出货双反转驱动投资决策 重启时机紧贴NAND市场拐点。2026年第一季度，SK海力士NAND平均售价环比上涨逾70%，创下单季历史峰值；公司二季度经营指引明确指出，NAND出货量将结束连续下滑趋势，实现环比回升。供需关系的实质性改善，叠加库存水位回归健康区间，为搁置已久的扩产计划提供了坚实商业基础。 资本投入加速：前期资金已提前到位 即便二期尚未完全启动建设，SK海力士对大连NAND子公司的资源倾斜已在2025年显著提速。全年投资预算达4406亿韩元（约合3亿美元），同比增幅52%。这笔资金主要用于设备预采购、基础设施强化及人才梯队搭建，体现出公司对该基地战略优先级的再确认。 技术布局错位：V8与375层形成双轨演进 大连V8产线并非孤立动作，而是SK海力士3D NAND技术路线图中的关键一环。公司已在韩国清州M15工厂完成375层NAND的生产验证，并计划于2024年底前实现量产。相比之下，大连V8定位中高端主流市场，在成本、功耗与可靠性之间取得更优平衡，服务于智能手机、PC及企业级SSD等规模化应用场景，与超高堆叠层数技术形成互补而非替代。 行业共振：三星西安同步升级，供给周期转向扩张 SK海力士的动作并非孤例。三星电子已于2024年3月30日完成西安工厂从128层V6到236层V8的产线切换，并正式进入V8量产阶段。其2025年对西安NAND工厂的投资预计达3.04亿美元，同比增长67.5%。两大韩系厂商在中国大陆的几乎同步扩产，标志着全球NAND产业正式告别长达两年的去库存与减产周期，步入新一轮供给能力重建阶段。值得注意的是，三星西安V8已率先释放产能，而SK海力士大连二期将在2027年上半年才具备量产条件，两者在时间轴上形成接力式供给补充。